磁阻效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀     型號(hào)；DP-FD-MR-II
磁阻器件由于靈敏度、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)在業(yè)、交通、儀器儀表、療器械、探礦等域應(yīng)用十分廣泛，如：數(shù)字式羅盤、交通車輛檢測(cè)，導(dǎo)航系統(tǒng)、wei鈔檢測(cè)、位置測(cè)量等。其中zui典型的銻化銦（ InSb）傳感器是種價(jià)格低廉、靈敏度的磁電阻，有著十分重要的應(yīng)用價(jià)值。 
　　本實(shí)驗(yàn)裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容豐富，使用兩種材料的傳感器：利用砷化鎵（ GaAs）霍耳傳感器測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度下的電阻大小。學(xué)生可觀測(cè)半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng)和磁阻效應(yīng)兩種物理規(guī)律，具有研究性和性實(shí)驗(yàn)的特點(diǎn)。 
　　該儀器可用于理科大學(xué)的基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和性綜合物理實(shí)驗(yàn)，也可用于演示實(shí)驗(yàn)。 
　　應(yīng)用本實(shí)驗(yàn)儀可以成以下實(shí)驗(yàn)： 
　　1．用于測(cè)定通過電磁鐵的電流和磁鐵間隙中磁感應(yīng)強(qiáng)度的關(guān)系，觀測(cè)砷化鎵（GaAs）霍耳元件的霍耳效應(yīng)。 
　　2．用于測(cè)定銻化銦（InSb）磁阻元件電阻大小磁感應(yīng)強(qiáng)度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。 
　　3．研究銻化銦（InSb）磁阻元件在不同磁感應(yīng)強(qiáng)度區(qū)域的電阻值變化與磁感應(yīng)強(qiáng)度的關(guān)系，行曲線擬合，求出磁阻元件電阻與磁感應(yīng)強(qiáng)度關(guān)系的經(jīng)驗(yàn)公式。 
　　4．外接信號(hào)發(fā)生器，深入研究磁電阻的交流特性（倍頻效應(yīng)），觀測(cè)其的物理現(xiàn)象（選做）。 
　　儀器主要參數(shù)： 
　　1.雙路直流電源 
　　　電流范圍 0－500ｍA 連續(xù)可調(diào)，數(shù)字電流表顯示大小。 
　　　電流范圍 0－3ｍA 連續(xù)可調(diào)，供傳感器的作電流。 
　　2.數(shù)字式毫特計(jì) 
　　　測(cè)量范圍 0－0.5T，分辨率0.0001T，準(zhǔn)確率為1%。